一 . 在鍍膜過(guò)程中，膜厚讀數有大的跳動(dòng)

原因分析	解決方法
1. 由于晶振片損壞，模式跳躍	1. 更換新的晶振片
2. 膜料應力大導致所鍍膜層從晶振片表面剝離，翹層。	2. 更換新的晶振片
3. 來(lái)自蒸發(fā)源（坩堝）的微顆?；颉盀R物”，“雜質(zhì)”打擊到晶振片。	3. 鍍膜前對蒸發(fā)源的材料雜質(zhì)徹底清理，預融時(shí)延長(cháng)擋板打開(kāi)時(shí)間。
4. 晶振片的基座（探頭帽）的表面有小顆?；蛴型鈦?lái)微粒（基座不正常）。	4. 弱酸清洗或拋光基座表面，安裝晶振片接觸底座。
5. 小塊材料落在晶振片上（晶振片一面是面向蒸發(fā)源的）	5. 檢查晶振片表面有無(wú)顆粒雜質(zhì)，用清潔的氣體吹凈

二 . 鍍膜過(guò)程中，在晶體壽命正常結束前，晶體停止振蕩

原因分析	解決方法
1. 來(lái)自蒸發(fā)源的微?；颉盀R料”“雜質(zhì)”打擊晶體。	1. 鍍膜前對蒸發(fā)源的材料雜質(zhì)徹底清理，預融時(shí)延長(cháng)擋板打開(kāi)時(shí)間。
2. 晶振片基座（探頭帽）上膜料厚積，掩蓋了晶振片露出的監測孔。	2. 弱酸清洗晶振片基座（探頭帽）
3. 存在電路短路或開(kāi)路	3. 用萬(wàn)用表檢查傳感器電纜到膜厚儀中間，電纜松動(dòng)，各連接件的接觸，接觸彈片，傳感器內部連接線(xiàn)以及饋入件的電連通。
4. 檢查由于高溫產(chǎn)生的電路短路或開(kāi)路	4. 見(jiàn)上面 3

注意：晶體壽命與鍍膜過(guò)程中膜料，蒸發(fā)源的熱輻射，位置，以及殘留氣體的成分有很大關(guān)系。

三 . 晶體不振蕩或間歇振蕩（在真空或大氣中）

原因分析	解決方法
1. 彈片與晶振片之間間歇接觸或接觸不良（接觸點(diǎn)氧化）。	1. 用萬(wàn)用表檢查電連通情況，阻值應小于 1 歐姆，清洗彈片接觸點(diǎn)。
2. 彈片已經(jīng)失去彈力，變形，或斷腳現象，以及彈片與陶瓷圈之間松動(dòng)。	2. 將彈片扳彎角度大約 45 度，或者更換新的陶瓷三角片。
3. 來(lái)自蒸發(fā)源的 RF 干擾。	3. 檢查接地線(xiàn)，使用符合 RF 接地的接地銅帶，改變儀器與振蕩器的位置，遠離 RF 電源線(xiàn)，將儀器連接不同的供電電源。
4. 電纜 / 振蕩器沒(méi)有連接好，或者連接到錯誤的傳感器輸入端。	4. 檢查連接和與編程的傳感器參數相關(guān)的輸入是否正確。

備注：接觸彈片，陶瓷三角片（陶瓷底圈）使用約 4000 次，就要更換。不應等到斷腳，或者松動(dòng)嚴重，陶瓷破損才更換。

四 . 晶體在真空中振蕩，但大氣中停止振蕩

原因分析	解決方法
1. 晶振片接近于它的終止壽命；打開(kāi)至空氣中導致膜層氧化，增大膜層的應力。	1. 更換新的晶振片
2. 破真空時(shí)，大量的潮氣聚積在晶振片表面，經(jīng)過(guò)晶振片的冷卻水流量小或冷卻效果不好。	2. 在系統破真空前，延長(cháng)冷卻時(shí)間；定期保養冷卻水管，弱酸或壓縮空氣疏通內壁水垢。

五 . 晶體中大氣中振蕩，但在真空中停止振蕩

原因分析	解決方法
1. 該現象為探頭基座 ( 單探頭，多探頭一樣 ) 內部接觸彈片變形，斷裂，或者接觸不良，不是晶振片不良。	1. 檢查晶振片探頭接觸部位，更新或者用鑷子扳動(dòng)，使之接觸良好。
2. 離子源中和未調節好，導致過(guò)量的帶電離子瞬間擊穿晶振片，在晶振片表面形成點(diǎn)擊花紋。	2. 調節中和器，使帶電離子充分被中和為分子。

六 . 熱不穩定性：膜厚讀數在蒸發(fā)源升溫過(guò)程中（通常導致膜厚讀數減?。┖徒K止鍍膜后（通常導致膜厚讀數增大）有大的變化

原因分析	解決方法
1. 冷卻水不符合要求 / 冷卻水溫度過(guò)高	1. 檢查冷卻水流量，保持冷卻水溫度低于 25 度。
2. 過(guò)多熱量輸入晶振片	2. 來(lái)自蒸發(fā)源的熱輻射，移動(dòng)傳感器遠離源，或使用高溫探頭，熱穩定性較好。
3. 晶振片沒(méi)有正確放置到基座上，底部有雜質(zhì)顆?；蚍胖脙A斜。	3. 清洗或拋光晶振片基座，清理底部殘留雜物。
4. 從冷卻水管到探頭部位的熱傳輸差	4. 打開(kāi)真空連接法蘭，更換新的冷卻水管；如無(wú)新水管，在工藝允許的情況下，冷卻水管與晶振探頭之間用單層鋁箔包住，起到隔熱效果。
5. 晶振片被高能電子束擊加熱	5. 使用高溫晶振片探頭。

七 . 膜厚的再現性差

原因分析	解決方法
1. 可變的離子源束流分布	1. 移動(dòng)晶控探頭至更接近中心位置，更可靠的取樣 ( 鍍粒 )
2. 掃描束斑，坩堝位置，可能從上次的鍍膜后電子束與坩堝位置已變	2. 位置不變的掃描頻率，手動(dòng)調節光斑位置，檢查坩堝位置是否正確。
3. 膜料不能吸附在晶振片上	3. 確保晶振片表面清潔，避免手指接觸，使中間有附層。
4. 鍍膜速率周期性變化	4. 檢查功率和速率是否匹配，材料是否有雜質(zhì)。

八 . 終止鍍膜后，膜厚有大的偏離（密度為 5g/ml 時(shí)大于 200 埃）

原因分析	解決方法
1. 由于熱接觸差，晶體被加熱	1. 清洗或拋光晶振片基座表面
2. 外磁場(chǎng)干擾傳感器的磁場(chǎng)，如離子源	2. 旋轉傳感器磁場(chǎng)至正確位置的方位盡量遠離磁場(chǎng)
3. 晶振片子鍍膜過(guò)程中出現了負跳現象	3. 更換新的晶振片

九 . 雙晶體或多晶體轉換問(wèn)題（不轉換或不對準孔徑中心）

原因分析	解決方法
1. 無(wú)氣源，或氣動(dòng)壓力不足	1. 將供氣壓力調整于 80-90PSIG
2. 鍍膜材料聚集在蓋上，使操作受阻	2. 按保養要求清除聚集材料
3. 準直不正確 ( 主要為多探頭 )	3. 重新準直
4. 0.0225’直徑小孔未安裝于電磁閥的供氣一側 ( 主要為多探頭 )	4. 安裝小孔，按多探頭安裝說(shuō)明書(shū)重新安裝

十 . 晶體安裝，讀數始終不變，鍍膜過(guò)程中不下降，不提示

原因分析	解決方法
1. 探頭連接斷路	1. 用萬(wàn)用表測量 , 振蕩器前端電壓值根據說(shuō)明書(shū)量得 3.3V,4.7V 或 5.3V；振蕩器到探頭部分量電阻，應小于 1 歐姆。
2. 振蕩器損壞	2. 更換新的振蕩器
3. 晶控系統故障	3. 關(guān)閉電源，重啟電腦和膜厚控制儀；若不能解決，重新安裝系統驅動(dòng)